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Product Info: |
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| Mouser Part No: | 511-SCTWA70N120G2V-4 | 511-SCT020W120G3-4AG | ||||||||||||||||||
| Mfr.'s Part No: | SCTWA70N120G2V-4 | SCT020W120G3-4AG | ||||||||||||||||||
| Manufacturer: | STMicroelectronics | STMicroelectronics | ||||||||||||||||||
| Description: | SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package | SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package | ||||||||||||||||||
| Lifecycle: | - | - | ||||||||||||||||||
| Datasheet: | SCTWA70N120G2V-4 Datasheet (PDF) | SCT020W120G3-4AG Datasheet (PDF) | ||||||||||||||||||
| RoHS: | ||||||||||||||||||||
Specifications |
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| Brand: | STMicroelectronics | STMicroelectronics | ||||||||||||||||||
| Channel Mode: | Enhancement | Enhancement | ||||||||||||||||||
| Configuration: | Single | Single | ||||||||||||||||||
| Country of Assembly: | Not Available | Not Available | ||||||||||||||||||
| Country of Diffusion: | Not Available | Not Available | ||||||||||||||||||
| Country of Origin: | CN | CN | ||||||||||||||||||
| Fall Time: | 18 ns | 22 ns | ||||||||||||||||||
| Id - Continuous Drain Current: | 91 A | 100 A | ||||||||||||||||||
| Maximum Operating Temperature: | + 200 C | + 200 C | ||||||||||||||||||
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | - 55 C | ||||||||||||||||||
| Mounting Style: | Through Hole | Through Hole | ||||||||||||||||||
| Number of Channels: | 1 Channel | 1 Channel | ||||||||||||||||||
| Package/Case: | HIP247-4 | Hip247-4 | ||||||||||||||||||
| Packaging: | Tube | Tube | ||||||||||||||||||
| Pd - Power Dissipation: | 547 W | 541 W | ||||||||||||||||||
| Product: | SiC MOSFETS | SiC MOSFETS | ||||||||||||||||||
| Product Type: | SiC MOSFETS | SiC MOSFETS | ||||||||||||||||||
| Qg - Gate Charge: | 150 nC | 121 nC | ||||||||||||||||||
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 30 mOhms | 28 mOhms | ||||||||||||||||||
| Rise Time: | 9 ns | 9 ns | ||||||||||||||||||
| Standard Pack Qty: | 600 | 600 | ||||||||||||||||||
| Subcategory: | Transistors | Transistors | ||||||||||||||||||
| Technology: | SiC | SiC | ||||||||||||||||||
| Transistor Polarity: | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||
| Typical Turn-Off Delay Time: | 36 ns | 47 ns | ||||||||||||||||||
| Typical Turn-On Delay Time: | 15.5 ns | 21 ns | ||||||||||||||||||
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV | 1.2 kV | ||||||||||||||||||
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 10 V, + 22 V | - 10 V, + 22 V | ||||||||||||||||||
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.45 V | 3 V | ||||||||||||||||||
| Qualification: | - | AEC-Q101 | ||||||||||||||||||
Ordering Information |
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| Stock: | 26 Can Dispatch Immediately | 448 Can Dispatch Immediately | ||||||||||||||||||
| Factory Lead Time: | 22 Weeks Estimated factory production time for quantities greater than shown. | 22 Weeks Estimated factory production time for quantities greater than shown. | ||||||||||||||||||
| Buy: |
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| Pricing: |
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